穿透式电子显微镜观察薄膜的显微结构
以电浆辅助化学束磊晶法在氮化镓（GaN）磊晶膜上成长氮化铟（lnN）磊晶薄膜。
透过穿透式电子显微镜观察与分析在成长温度为450℃、500℃与550℃时所得之InN磊晶薄膜的显微结构。
在450℃下所成长之InN薄膜，表面粗糙且薄膜并非一个完美的磊晶薄膜。InN磊晶薄膜在500℃左右时具有最快的成长速率，
其薄膜最厚，缺陷密度最高，但薄膜表面相对较为平坦。成长温度为550℃所得之InN磊晶薄膜已开始产生空孔，
表面平坦度比起500℃之InN磊晶薄膜要来得差。在晶体缺陷部分，InN磊晶薄膜中主要的面缺陷是位移向量为1/6〈2203〉的基面叠差，
线缺陷则是布格向量为b = 1/3 〈1120〉的差排。
