高品质单晶的生长及掺杂控制乃至于制成的最佳化,
对于非线性光学晶体在工业上应用扮有极为重要的角色。
然而在自然融熔态生长的晶体,或多或少都会偏离化学计量组成,
形成对位缺陷。
此对位缺陷对晶体的性质,尤其在
元件的加工及应用上,有极大的不良影响。
此外,在掺杂的应用上,更因为掺杂离子在固体及液体中的溶解度不
同,造成偏析及晶体的不均匀性。因此本计画将使用可视化的水平区
熔系统,以等计量比铌酸锂单晶作为生长对象,来进行掺杂均匀的等
计量比晶体生长,以期望能得到低耗能且掺杂均匀的等计量比单晶体
生长技术,并辅以电脑模拟计算,发展双层的系统热流模式,
并分析最佳化晶体生长程序,以期开发高效率低耗能的
等计量且均匀性高的单晶技术。