动态光学显微分析仪器观察金属试样
信息分类：生命科学资讯 作者:YIYI发布
动态光学显微分析仪器观察金属试样
探讨的子劈技术中，系旨于研究以阶段同顺序的氢与氦子布植取代单阶段的氢子布植，
所造成矽（100）试样表面的发泡与发泡破
现象以及试样内部缺陷的演化情形，并与只有单一阶段氢子布植的结果进
交互比较。所使用的特性测分析仪器包括：
动态光学显微分析仪器、曼光谱仪、二次子质谱仪、以及穿透式电子显微镜。
结果显示：同顺序的阶段子布植造成一样的缺陷分布情形，也使得在使用特性测仪器所观察到的现象
大相同。加入氦子布植的试样在经退火后，其试样内部出现有明显的长条
缝，此一缝的生成是为绝缘体上矽薄膜能否成功转移的重要关键，是以添加氦
子的阶段子布植可以较单阶段氢子布值提高制作绝缘体上矽的成功
机。本文所使用的阶段氢与氦子布值试样经由适当的晶圆接合以及退火
制程皆可得到绝缘体上矽结构，其中，氦先布值（即He＋H）者其薄膜转移的
面积高于氦后布值（即H＋He）者，绝缘体上矽薄膜的表面粗糙亦是前者优
于后者。总结而言，前者为较佳的制程
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