在半导体元件制程中,硅芯片表面的金属污染是一为人熟知的问题,所造成的良率和元件可靠度下降的后果,
也一直是半导体制程中令人关心的问题。
传统清洗方法,需使用大量的溶剂和去离子水清洗硅芯片,特殊制程更需用包含强酸强碱溶液在内的清洗方法,
因而产生大量废水和酸碱液, 造成环保问题及增加处理成本。因此本论文的重点,即在于尝试使用超临界流体
清洗硅
芯片表面的金属杂质,希望能建立一高效率且无废液废水的清洗方法。
超临界流体具有液体般的溶解度和气体般的扩散
能力,能迅速有效的清洗硅芯片表面。超临界流体的溶解度可经由温度和压力的调整而轻易改变,
并藉由添加少量的修饰剂,可再增加其溶解极性污染物的能力。
Ⅰ、开发使用添加各种修饰剂的超临界二氧化碳流体以清洗硅芯片的新制程,我们使用自行制备的污染硅芯片
,利用高感度二次离子质谱仪(SIMS)分析以评估其清洗效率,以水做为修饰剂可以得到最佳的清洗效果;
利用扫描式电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)等分析方法观察硅芯片于清洗前后表面形态的变化,
以评估超临界二氧化碳流体清洗法的可行性。
火山岩则是喷发到地表后才冷却安山岩和玄武岩都是比较浅层的火山岩 深成岩则有花岗岩闪长岩这些...从显微照片可以发现... 花岗岩的不同矿晶间非常密合 安山岩则比较象是矿物间有填充物质的感觉