PTC材料的显微结构和性能
PTC材料对显微结构有较高的要求,其晶粒为半导,晶界为高阻,
晶粒尺寸一般为3-7μm。品粒过细时,由于电子耗尽层接近晶粒尺寸
而降低PTC效应。
异常晶粒生长将会使材料耐电压性恶化,二重晶粒的显微结构(细晶及粗晶共存)
通常是由于化学不均匀,粉体密度有差异,形成小区高阻岛,易在强电场下损毁。
测量单个晶界的电性,可了解各个晶界有不同电阻温度关系。
当电场施加1-3s内就完成升温,红外
显微镜观察证明,每个晶界为一热点,
晶粒和晶界的温度差别达约60℃,加上相变引起的热膨胀突变,均会形成大的内应力,
因此希望陶瓷应具有高均匀的显微结构:
晶粒尺寸均匀,各个晶界特性相近,并具有高势垒:
这样才能在相变温度处电阻突跳陡,从而满足过荷保护或马达启动等功能方面
的要求。