我们经常在有掩膜的刻蚀后观察到理想的刻蚀轮廓出现畸变的现象,如出现底
切、锥形或弓形的测壁、在测壁根部的底测切(notches)等。例如,在用氯等离子体刻
蚀多晶硅线条和问隔的图形时就容易出现这些畸变。电荷在绝缘表面上局部的堆积,
并使人射到沟槽内的离子运动发生偏转继而被散射,
垂直于未受干扰的离子运动方向,并在过刻阶段才会出现。当刻蚀一个开阔区域附近
的一系列沟槽时,底测切通常在最外面的沟槽内测壁的底部形成。底测切的程度取决
于等离子体参数,如离子能员分布、等离子体密度和电子温度,以及刻蚀的儿何形状和
材料的成分。大多数人认为底测切是山在最外测的多晶硅线上形成的电位差造成的。