区分不同类型的实际结构或缺陷结构,材料显微镜
信息分类：生命科学资讯 作者:YIYI发布
区分不同类型的实际结构或缺陷结构,材料显微镜
即使高纯材料也含有缺陷
实际材料，甚至用于研究工作的看来很完善的高纯晶体，原子结构往往与理想模型
也有差距，人们把这些偏离理想完善结构现象通称为实际材料的真实结构或具有缺陷的材
料。材料的所有力学、电、光、磁学和其它性能大多深受缺陷结构的影响，甚至取决于共
缺陷结构。
可根据与理想晶体结构偏差的程度，区分不同类型的实际结构或缺陷结构，将这些类
型示于45页的图中，当个别点体上的原子未处在规定的位置上或为杂质原子所取代时，即
出现点缺陷，也称为零维缺陷。点阵空位或中间点阵位置上的质点属于这种最简单的点阵
缺陷类型。著名学者弗伦克耳和肖特基指出，与理想晶体点阵的这些偏差不足：勾奇，它们
是由于点阵上原子的不规则的热运动的结果。在较高温度下，总有一些原子获得足够的动
能，使之离开在点阵中的正常位置，同时留下的空位，即空着的位置。质点或是在表面上
重新回到正常位置上，或是进入正常点阵位置之间。后一种情况是可能出现的，因为在每
一点阵中由于相邻质点的轻微变形均可能产生足够的空间，以便将不太大的原子或离子安
置在点阵位置之间，即使在低温下，这些点缺陷也不会消失，因为在低温下质点的运动大
大受阻，使其不能回到正常位置。
置换型缺陷对半导体技术具有重大意义，存在这类点缺陷时，正常点阵位置被另外一种
化学元素的原子或离子占据。“固体的真实结构”图再现了半导体材料硅的这种情况。图的
左半部分，磷原予占据了一个硅原予的位置，由于两个质点的尺寸大体相等，完全有可能
在不使点阵发生严重畸变情况下出现上述情况。然而，磷原子还有一附加的外壳层电子，
此电子很容易为热能所激活而释放到整个点阵中去，成为半导体电导带中附加的自由运动
的载流子。因此，磷原子起电子施主的作用。
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