仔细除去与坩埚反应形成的轻微地附着于硅凝固物上的SiC,
称量凝固物的重量,要HF-HNO中腐蚀除去Si,再称量Si凝固物内
存留的SiC的重量,由这些的数据就可以求得既定温度下C的溶解
度。
低城2000℃时溶解度已低至使用500毫克Si溶媒不能获得精确
的测定结果,在重结晶氧化坩埚中分别称取10克、20克试样进行
了两个实验,此时压力容器中炉子的装置有些不同,在熔体内放
入上只已知重量的SiC的单晶,按照其重量损失与熔体内Si的重
量可以求得溶解度。
最后,在Si的为熔点时测定了溶解度,也采用了称量SiC单晶
重量变化的方法,他所用的Si熔体是在真空下置于Si承载小棒的
顶端,SiC晶体存留于液体-固体的界面上,因而测量温度的精确
性是有些问题的。
从而可以使更清楚地看出SiC在分解温度时的行为,2830℃这
一温度是加热坩埚内的SiC晶粒试样所求得的,所用坩埚与测量
溶解度实验中所用的相同,高于此温度的所有样品都分解了,而
低于些温度的则都末受到影响,曾经分别用六方SiC与立方SiC作
过两次试验,它们只是一半分解了,而一半末分解,于是所测定
的温度接近于高温计的容许误差。